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跌落式熔断器放心选购、樊高电气有限公司

  • 公司: 樊高电气有限公司
  • 价格:电联
  • 联系人:樊露
  • 更新时间:2025-04-20 15:24:18 浏览次数:1
  • 所在地:富裕
  • 标题:跌落式熔断器放心选购、樊高电气有限公司
  • 来源: fanlu0128
跌落式熔断器放心选购、樊高电气有限公司
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产品参数
产品价格1/个
发货期限3
供货总量10000
运费说明12
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用于电压等级500V以下、电流等级1KA以下的电路中。无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中,分断能力稍小,用于500V以下,600A以下电力网或配电设备中。快速熔断器:快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同 ,但熔体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。自复熔断器:采用金属钠作熔体,在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时,短路电流产生高温使钠迅速汽化,汽态钠呈现高阻态,从而限制了短路电流。当短路电流消失后,温度下降,金属钠恢复原来的良好导电性能。自复熔断器只能限制短路电流,不能真正分断电路。其优点是不必更换熔体,能重复使用。结构特性熔体额定电流不等于熔断器额定电流,熔体额定电流按 被保护设备的负荷电流选择,熔断器额定电流应大于熔体额定电流,与主电器配合确定。熔断器主要由熔体、外壳和支座3部分组成,其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金,其熔点低容易熔断,由于其电阻率较大,故制成熔体的截面尺寸较大,熔断时产生的金属蒸气较多,只适用于低分断能力的熔断器。高熔点材料如铜、银,其熔点高,不容易熔 断,但由于其电阻率较低,可制成比低熔点熔体较小的截面尺寸,熔断时产生的金属蒸气少,适用于高分断能力的熔断器。熔体的形状分为丝状和带状两种。改变变截面的形状可显著改变熔断器的熔断特性。熔断器有各种不同的熔断特性曲线,可以适用于不同类型保护对象的需要。安秒特性:熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的,熔断器有个非常明显的特性,就是安秒特性。对熔体来说,其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性,也叫反时延 特性,即:过载电流小时,熔断时间长;过载电流大时,熔断熔断器(图6)熔断器(图6)时间短。对安秒特性的理解,我们从焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T,串联回路里,熔断器的R值基本不变,发热量与电流I的平方成正比,与发热时间T成正比,也就是说:当电流较大时,熔体熔断所需的时间就较短。而电流较小时,熔体熔断所需用的时间就较长,甚至如果热量积累的速度小于热扩散的速度,熔断器温度就不会上升到熔点,熔断器甚 至不会熔断。所以,在一定过载电流范围内,当电流恢复正常时,熔断器不会熔断,可继续使用。因此,每一熔体都有一小熔化电流。相应于不同的温度,小熔化电流也不同。虽然该电流受外界环境的影响,但在实际应用中可以不加考虑。一般定义熔体的小熔断电流与熔体的额定电流之比为小熔化系数,常用熔体的熔化系数大于1.25,也就是说额定电流为10A的熔体在电流12.5A以下时不会熔断。从这里可以看出,熔断器的短路保 护性能,过载保护性能一般。如确需在过载保护中使用,




由 图可见,升压变换器的拓扑基本结构未被破坏。本应用中,MAX668把3.3V电压变为5V,负载电流可达3A。贴片保险丝VICFUSE贴片保险丝VICFUSE其中P沟道增强型MOSFET——Q1是实现负载断路的关键元件。当MAX668在关闭模式时,二极管D1仍然导通,使得MAX810L的电源端的电压为3.3V减去二极管D1的管压降。由于MAX810L的复位门槛电平为4.65V,因此其RESET端输出为 高电平,迫使Q1关断,从而使负载与输入电源断开。MAX668通过外部反馈电阻网络设定5V输出电压。当输出电压超MAX810L的复位门槛电平时,其内部单稳电路开始工作并延时约240ms。之后,MAX810L的输出变低,使Q1导通。Q1导通之后,MAX810L一直监测输出电压以确定输出是否过流。过载将会导致输出电压下降,当它低于MAX810L门槛电平时,MAX810L的输出经过20μs的延迟后由高变低 ,从而关断Q1并使负载断开。由于MAX668的升压作用,MAX810电源端电压又会高于其门槛电平,240ms的复位延迟时间后,MAX810L输出再次由高变低,开通Q1并自动再次连通负载。上述过程会一直周期性重复下去,除非移去多余负载或将MAX668关闭使其停止工作。因此MAX810L和开关Q1一起构成了一个固态开关(电子保险丝)。保险丝保险丝MAX810L(微功耗器件)具有非平衡推挽输出级。当对外 输出电流时,它等效于一个6kΩ电阻;当从外汲取电流时,它等效于一个125Ω的电阻。当导通或关断Q1时,由于MAX810L的电阻阻止了Q1的密勒电容和栅源电容快速充放电,因此使开关瞬态过程得以减慢。假定Q1总的等效电容为5000pF时,则MAX810汲取电流时(等效于125Ω电阻)大电流三极管的RC电路的时间常数约为0.6μs。整个导通过程电压瞬态响应时间大约为10RC=6μs。完全关断同样开关Q1 的时间大约是完全导通时间的48倍。当外部负载或C2在启动瞬间要汲取较大电流时,快速导通Q1可能使MAX810输入电压低于其复位门槛电压从而导致复位出现,因此在图2基础上再增加一RC网络以减缓其开通过程,合适地选择R、C可使负载连接过程延续到几个MAX668开关工作周期,使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长,同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上 并联一肖特基二极管,以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻,上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET,如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降(特别是低输出电压应用场合或负载离电源的距离较远时),则应该从Q1漏极端反馈电压调节输出。设计电路时,必须小化寄生参数同时仔细考虑电路布局。利用一个SOT23封装的低电压模拟开关(MAX4544)可实现上述远 端调节,该开关受控于MAX810L的输出,如图4所示。根据MAX4544产品参数,其低工作电压为2.7V。由于输入电压为3.3V,而肖特基的正向管压降为0.3V,因此即使该升压变换处于关闭模式,MAX4544(及MAX810)也处于工作状态。此时,MAX810输出高电平,MAX4544的公共端COM与其常开端NO(Q1的源极)相连。当MAX668使能时,与MAX4544公共端相连的电阻网络为MA
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